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Les lasers à semiconducteur, grâce au large choix des matériaux possibles et la souplesse dans la conception et la fabrication de couches actives complexes, bénéficient non seulement d'une plage spectrale d'émission importante, mais émettent également des puissances très élevées, et conduisent enfin à la réalisation de sources compactes, robustes et simples d'utilisation.
Dans notre groupe de recherche, nous nous intéressons à deux types de lasers à semiconducteur :
(version anglaise uniquement)
We study VECSELs for metrology applications, which require specific laser wavelengths, narrow linewidths and a high frequency stability.
Our work currently concerns the development of devices emitting at 852.14 nm as alternative laser sources for Cs atomic clocks.
Diode lasers are interesting sources when compactness, efficiency and wavelength versatility is seeked. Nevertheless they suffer from poor beam quality at very high power, and relatively broad spectrum. Our work on extended-cavity diode lasers intend to improve both properties.
Soutenance d'HDR de Marc Hanna le 25 Mars 2013 à 14H
Louis LEVEQUE, Florent GUICHARD et Julien POUYSEGUR débutent leur thèse dans le groupe LASERS
Soutenance de thèse de Patricia RAMIREZ le 29 Janvier 2013